Matériel | 99,99% |
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Transmittance légère | 92% |
Densité | 2.2g/cm3 |
Temparature fonctionnant | 1100℃ |
Dureté | Morse 6,5 |
Matériel | SiO2 |
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Dureté | Morse 6,5 |
La température fonctionnante | 1100℃ |
Qualité extérieure | 20/40 ou 40/60 |
Force de Dieletric | 250~400Kv/cm |
Matériel | SIO2>99.999% |
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Densité | 2,2 (g/cm3) |
Transmittance légère | >92% |
Dureté | Morse 6,5 |
La température fonctionnante | 1100℃ |
Nom | Glace à hautes températures de quartz |
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Le type | Plaque de quartz transparent |
Application du projet | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100 mm |
Forme | Carré |
Le type | Plaque de quartz transparent |
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Application du projet | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100 mm |
Forme | Carré |
Service de traitement | Frapper, couper |
Le type | Plaque de quartz transparent |
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Application du projet | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 3-100mm |
Forme | Carré |
Service de traitement | Frapper, couper |
Nom de produit | glace de quartz |
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Matériel | 99,99% |
Transmittance légère | 92% |
Densité | 2.2g/cm3 |
Temparature fonctionnant | 1100℃ |
Le type | Plaque de quartz transparent |
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Application du projet | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100 mm |
Forme | Carré |
Service de traitement | Frapper, couper |
Nom de produit | Glace de quartz |
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Matériel | Sio2 |
Temparature fonctionnant | 1200℃ |
Point de fonte | 1850℃ |
Forme | Place/rond/toute forme |
Name | High Temperature Quartz Glass Plate |
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Type | Clear Quartz Plate |
Application | Semiconductor, optical |
Thickness | 0.5-100mm |
Shape | Square |