| Taper | Plaque de quartz transparent |
|---|---|
| Application | Semi-conducteur, optique |
| Épaisseur | 0,5-100 mm |
| Forme | Carré |
| Service de traitement | Coup de poing, coupe |
| Matériel | SIO2>99.999% |
|---|---|
| Densité | 2,2 (g/cm3) |
| Transmittance légère | >92% |
| Dureté | Morse 6,5 |
| La température fonctionnante | 1100℃ |
| Nom de produit | Usinage en verre de précision |
|---|---|
| Matériel | SIO2 |
| Dureté | morse 6,5 |
| La température fonctionnante | 1100℃ |
| Qualité extérieure | 20/40 ou 40/60 |
| Matériel | SIO2>99.99% |
|---|---|
| OD | 3-300mm |
| Transmittance légère | >92% |
| Temparature fonctionnant | 1100℃ |
| Dureté | Morse 6,5 |
| Matériel | 99,99% |
|---|---|
| Transmittance légère | 92% |
| Densité | 2.2g/cm3 |
| Temparature fonctionnant | 1100℃ |
| Dureté | Morse 6,5 |
| Matériel | SiO2 |
|---|---|
| Dureté | Morse 6,5 |
| La température fonctionnante | 1100℃ |
| Qualité extérieure | 20/40 ou 40/60 |
| Force de Dieletric | 250~400Kv/cm |
| Matériel | SIO2>99.999% |
|---|---|
| Densité | 2,2 (g/cm3) |
| Transmittance légère | >92% |
| Dureté | Morse 6,5 |
| La température fonctionnante | 1100℃ |
| Le type | Plaque de quartz transparent |
|---|---|
| Application du projet | Semi-conducteur, optique |
| Épaisseur | 0.5-100 mm |
| Forme | Carré |
| Service de traitement | Frapper, couper |
| Le type | Plaque de quartz transparent |
|---|---|
| Application du projet | Semi-conducteur, optique |
| Épaisseur | 3-100mm |
| Forme | Carré |
| Service de traitement | Frapper, couper |
| Nom | Glace à hautes températures de quartz |
|---|---|
| Le type | Plaque de quartz transparent |
| Application du projet | Semi-conducteur, optique |
| Épaisseur | 0.5-100 mm |
| Forme | Carré |