Type | Plat clair de quartz |
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Application | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100mm |
Forme | Place |
Traitement du service | Recourbement, soudant, poinçon, polissant |
Matériel | SIO2>99,99 % |
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Densité | 2.2g/cm3 |
Transmission de la lumière | 92% |
Dureté | Morse 6.5 |
Température de travail | 1100℃ |
Matériel | SiO2 |
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Dureté | morse 6,5 |
La température fonctionnante | 1100℃ |
Qualité extérieure | 20/40 ou 40/60 |
Force de Dieletric | 250~400Kv/cm |
Matériel | SIO2>99.99% |
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Densité | 2.2g/cm3 |
Transimittance léger | 92% |
dureté | morse 6,5 |
Temparature fonctionnant | 1100℃ |