| Type | Plat clair de quartz |
|---|---|
| Application | Semi-conducteur, optique |
| Épaisseur | 0.5-100mm |
| Forme | Place |
| Traitement du service | Recourbement, soudure, poinçonnant, coupe |
| Taper | Plaque de quartz clair |
|---|---|
| Application | Semi-conducteur, optique |
| Épaisseur | 0.5-100mm |
| Forme | Carré |
| Service de traitement | Pliage, soudage, poinçonnage, découpe, polissage |
| Matériel | SiO2 |
|---|---|
| Dureté | Morse 6,5 |
| La température fonctionnante | 1100℃ |
| Qualité extérieure | 20/40 ou 40/60 |
| Force de Dieletric | 250~400Kv/cm |
| Matériel | 99,99% |
|---|---|
| Transmittance légère | 92% |
| Densité | 2.2g/cm3 |
| Temparature fonctionnant | 1100℃ |
| Dureté | Morse 6,5 |