| Matériel | SiO2 |
|---|---|
| densité | 2.2g/cm3 |
| Dureté | Morse 6,5 |
| La température fonctionnante | 1100℃ |
| Transmittance UV | 80% |
| Matériel | SiO2 |
|---|---|
| densité | 2.2g/cm3 |
| Dureté | Morse 6,5 |
| La température fonctionnante | 1100℃ |
| Transmittance UV | 80% |
| Matériel | SiO2 |
|---|---|
| densité | 2.2g/cm3 |
| Dureté | Morse 6,5 |
| La température fonctionnante | 1100℃ |
| Transmittance UV | 80% |
| Taper | Plaque de quartz clair |
|---|---|
| Application | Semi-conducteur, optique |
| Épaisseur | 0.5-100mm |
| Forme | Carré |
| Service de traitement | Pliage, soudage, poinçonnage, découpe |
| Type | Plaque de quartz clair |
|---|---|
| Application | Semi-conducteur, optique |
| Épaisseur | 0.5-100mm |
| forme | carré |
| Traitement du service | Pliage, soudage, poinçonnage, découpe, polissage |
| Type | Plaque de quartz clair |
|---|---|
| Application | Semi-conducteur, optique |
| Épaisseur | 0.5-100mm |
| Forme | Place |
| Traitement du service | Pliage, soudage, poinçonnage, découpe, polissage |
| Matériel | SiO2 |
|---|---|
| Densité | 2.2g/cm3 |
| Dureté | Morse 6,5 |
| La température fonctionnante | 1100℃ |
| Transmittance UV | 80% |
| Matériel | 99,99% |
|---|---|
| Transmittance légère | 92% |
| Densité | 2.2g/cm3 |
| Temparature fonctionnant | 1100℃ |
| Dureté | Morse 6,5 |
| Matériel | SiO2 |
|---|---|
| Densité | 2.2g/cm3 |
| Dureté | Morse 6,5 |
| La température fonctionnante | 1100℃ |
| Transmittance UV | 80% |
| Matériel | SiO2 |
|---|---|
| Densité | 2.2g/cm3 |
| Dureté | Morse 6,5 |
| La température fonctionnante | 1100℃ |
| Transmittance UV | 80% |