Taper | Plaque de quartz clair |
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Application | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100mm |
Forme | Carré |
Service de traitement | Pliage, soudage, poinçonnage, découpe |
Type | Plaque de quartz clair |
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Application | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100mm |
forme | carré |
Traitement du service | Pliage, soudage, poinçonnage, découpe, polissage |
Type | Plaque de quartz clair |
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Application | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100mm |
Forme | Place |
Traitement du service | Pliage, soudage, poinçonnage, découpe, polissage |
Matériel | SiO2 |
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Densité | 2.2g/cm3 |
Dureté | Morse 6,5 |
La température fonctionnante | 1100℃ |
Transmittance UV | 80% |
Matériel | 99,99% |
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Transmittance légère | 92% |
Densité | 2.2g/cm3 |
Temparature fonctionnant | 1100℃ |
Dureté | Morse 6,5 |
matériel | SIO2>99.999% |
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densité | 2,2 (g/cm3) |
Transmittance légère | >92% |
Dureté | Morse 6,5 |
La température fonctionnante | 1100℃ |
Type | Plat clair de quartz |
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Application | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100mm |
Forme | Place |
Traitement du service | Recourbement, soudure, poinçonnant, coupe |
Type | Plat clair de quartz |
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application | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100mm |
Forme | Place |
Traitement du service | Recourbement, soudant, poinçonnant, coupure, polissant |
Matériel | SiO2 |
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Dureté | morse 6,5 |
La température fonctionnante | 1100℃ |
Qualité extérieure | 20/40 ou 40/60 |
Force de Dieletric | 250~400Kv/cm |
Matériel | SiO2 |
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Dureté | morse 6,5 |
La température fonctionnante | 1100℃ |
Qualité extérieure | 20/40 ou 40/60 |
Force de Dieletric | 250~400Kv/cm |