| Nom de produit | Cuvette de quartz |
|---|---|
| Matériel | silicium fondu |
| la température fonctionnante | 1100℃ |
| Tolérance aux acides | 30 fois plus que la céramique |
| Dureté | Morse 6.5 |
| Le type | porteuse de plaquettes de quartz |
|---|---|
| Application du projet | Semi-conducteur, optique |
| Épaisseur | 0.5-100 mm |
| Forme | Carré |
| Service de traitement | Leur valeur n'excède pas 50% du prix départ usine du produit |
| Le type | Plaque de quartz transparent |
|---|---|
| Application du projet | Semi-conducteur, optique |
| Épaisseur | 0.5-100 mm |
| Forme | Carré |
| Service de traitement | Frapper, couper |
| Matériel | SiO2 |
|---|---|
| densité | 2.2g/cm3 |
| Dureté | Morse 6,5 |
| La température fonctionnante | 1100℃ |
| Transmittance UV | 80% |
| Matériel | SiO2 |
|---|---|
| densité | 2.2g/cm3 |
| Dureté | Morse 6,5 |
| La température fonctionnante | 1100℃ |
| Transmittance UV | 80% |
| Matériel | SiO2 |
|---|---|
| densité | 2.2g/cm3 |
| Dureté | Morse 6,5 |
| La température fonctionnante | 1100℃ |
| Transmittance UV | 80% |
| Nom de produit | Tube de quartz |
|---|---|
| Matériel | Sio2 |
| dureté | Morse 6,6 |
| Point de fonte | 1730℃ |
| Temparature fonctionnant | 1100℃ |
| Matériel | SiO2 |
|---|---|
| Dureté | Morse 6,5 |
| La température fonctionnante | 1200℃ |
| Qualité extérieure | 20/40 ou 40/60 |
| Force de Dieletric | 250~400Kv/cm |
| Nom de produit | Glace de quartz |
|---|---|
| Matériel | SIO2 |
| Dureté | morse 6,5 |
| La température fonctionnante | 1100℃ |
| Qualité extérieure | 20/40 ou 40/60 |
| Mot-clé | quartz de trois cous autour du flacon inférieur |
|---|---|
| Matériel | silicium fondu |
| Température de fonctionnement | 1100℃ |
| Tolérance acide | 30 fois que la céramique |
| Dureté | morse 6,5 |