Le type | porteuse de plaquettes de quartz |
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Application du projet | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100 mm |
Forme | Carré |
Service de traitement | Leur valeur n'excède pas 50% du prix départ usine du produit |
Matériel | SiO2 |
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Dureté | Morse 6,5 |
La température fonctionnante | 1200℃ |
Qualité extérieure | 20/40 ou 40/60 |
Force de Dieletric | 250~400Kv/cm |
Mot-clé | quartz de trois cous autour du flacon inférieur |
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Matériel | silicium fondu |
Température de fonctionnement | 1100℃ |
Tolérance acide | 30 fois que la céramique |
Dureté | morse 6,5 |