| Matériel | SIO2>99.99% |
|---|---|
| OD | 3-300mm |
| Transmittance légère | >92% |
| Temparature fonctionnant | 1100℃ |
| dureté | Mose 6,5 |
| Le type | porteuse de plaquettes de quartz |
|---|---|
| Application du projet | Semi-conducteur, optique |
| Épaisseur | 0.5-100 mm |
| Forme | Carré |
| Service de traitement | Leur valeur n'excède pas 50% du prix départ usine du produit |
| Le type | Tubes de quartz transparentes |
|---|---|
| Application du projet | Semi-conducteur, optique |
| Épaisseur | 0.5-100 mm |
| Forme | Semi-circulaire |
| Service de traitement | Leur valeur n'excède pas 50% du prix départ usine du produit |
| Type | Plaque de quartz transparent |
|---|---|
| Application du projet | Semi-conducteur, optique |
| Épaisseur | 0.5-100 mm |
| Forme | Carré |
| Service de traitement | Recourbement, soudant, poinçonnant, coupure, polissant |
| Matériel | 99,99% |
|---|---|
| Transmittance légère | 92% |
| Densité | 2.2g/cm3 |
| Temparature fonctionnant | 1100℃ |
| Dureté | Morse 6,5 |
| Matériel | 99,99% |
|---|---|
| Transmittance légère | 92% |
| Densité | 2.2g/cm3 |
| Temparature fonctionnant | 1100℃ |
| Dureté | Morse 6,5 |
| Matériau | silicium fondu |
|---|---|
| TEMPERATURE DE SERVICE | 1100℃ |
| Tolérance acide | 30 fois que la céramique |
| Dureté | Morse 6,5 |
| Densité | 2.2g/cm3 |
| Type | Clear Quartz Plate |
|---|---|
| Application | Semiconductor, optical |
| Thickness | 0.5-100mm |
| Shape | Square |
| Processing Service | Punching, Cutting |
| Nom de produit | Glace de quartz |
|---|---|
| Matériel | SIO2>99.999% |
| Densité | 2,2 (g/cm3) |
| Transmittance légère | >92% |
| Dureté | morse 6,5 |
| Le type | Plaque de quartz transparent |
|---|---|
| Application du projet | Semi-conducteur, optique |
| Épaisseur | 0.5-100 mm |
| Forme | Carré |
| Service de traitement | Frapper, couper |