Type | Plaque de quartz transparent |
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Application du projet | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100 mm |
Forme | Carré |
Service de traitement | Recourbement, soudant, poinçonnant, coupure, polissant |
Matériau | silicium fondu |
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TEMPERATURE DE SERVICE | 1100℃ |
Tolérance acide | 30 fois que la céramique |
Dureté | Morse 6,5 |
Densité | 2.2g/cm3 |
Matériel | SiO2 |
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Temparature fonctionnant | 1200℃ |
Point de fonte | 1850℃ |
forme | Place/rond/toute forme |
Épaisseur | 1mm-50mm |