99.99% de SiO2 de haute pureté à deux couteaux de quartz à fond rond Flasque résistant aux acides et aux alcalis à 1200 °C
Détails du produit
| Nom du produit: | Flacon de quartz | teneur en SiO2: | 99,99% |
|---|---|---|---|
| Densité: | 2,2 g / cm3 | Température de travail: | 1100 ℃ |
| Point de fusion: | 1732℃ | Application: | laboratoire |
| Dureté: | 6.6 | Point de recuit: | 1180 ℃ |
Description du produit
| Marque | Shengfan |
|---|---|
| Nom du produit | Tubes de verre au quartz |
| Contenu en SiO2 | 99.99% |
| Densité | 2.2 g/cm3 |
| Dureté (échelle de Moh) | 6.6 |
| Point de fusion | 1732°C |
| Température de fonctionnement | 1100°C |
| Point de recuit | 1180°C |
| Point de ramollissement | 1630°C |
Processus de production
- Domaine de recherche en laboratoire
- Processus de haute pureté pour les semi-conducteurs / photovoltaïque
- Laboratoire d'enseignement universitaire
Lianyungang Shengfan Quartz Product Factory est un fabricant professionnel spécialisé dans la recherche, le développement et la production de plaques de quartz, tubes de quartz, brides de quartz, anneaux de quartz, cuvettes,et les instruments à quartz.
Situé dans la capitale cristalline de la Chine - la ville de Donghai, province du Jiangsu, Chine, notre installation est stratégiquement positionnée à seulement 70 km du port de Lianyungang, assurant un accès pratique au transport.
Couvrant une superficie de 1 000 mètres carrés, nous employons plus de 30 professionnels qualifiés et réalisons des ventes annuelles dépassant 5,2 millions USD.La qualité d'abordNous nous engageons à établir une entreprise internationale dotée de processus normalisés et de capacités opérationnelles durables.
La société adhère à l'intégrité dans les affaires, avec une vaste expérience, des prix raisonnables, une assurance qualité et un excellent service après-vente..
Points forts du produit
Flacon à fond rond en quartz à deux cols de haute pureté SiO₂ à 99,99 % avec une résistance aux acides et aux alcalis de 1 200 °C. Présente une température de fonctionnement de 1100 ℃, un point de fusion de 1732 ℃ et une dureté de 6,6. Idéal pour la recherche en laboratoire, les processus de semi-conducteurs et les applications d'enseignement universitaire.
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