Matériel | SIO2>99,99 % |
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Densité | 2.2g/cm3 |
Dureté | Morse 6.5 |
Température de travail | 1150℃ |
Point de fusion | 1750-1850℃ |
Le type | Plaque de quartz transparent |
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Application du projet | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100 mm |
Forme | Carré |
Service de traitement | Frapper, couper |