| Matériel | SiO2 |
|---|---|
| Dureté | Morse 6,5 |
| La température fonctionnante | 1100℃ |
| Qualité extérieure | 20/40 ou 40/60 |
| Force de Dieletric | 250~400Kv/cm |
| Matériel | SiO2 |
|---|---|
| Dureté | Morse 6,5 |
| La température fonctionnante | 1100℃ |
| Qualité extérieure | 20/40 ou 40/60 |
| Force de Dieletric | 250~400Kv/cm |
| Taper | Plat clair de quartz |
|---|---|
| Application | Semi-conducteur, optique |
| épaisseur | 0.5-100mm |
| Forme | Carré |
| Service de traitement | Recourbement, soudant, poinçonnant, coupure, polissant |
| Taper | Plat clair de quartz |
|---|---|
| Application | Semi-conducteur, optique |
| épaisseur | 0.5-100mm |
| Forme | Carré |
| Service de traitement | Poinçon, coupant |
| Le type | Plaque de quartz glacé |
|---|---|
| Application du projet | Semi-conducteur, optique |
| Épaisseur | 0.5-100 mm |
| Forme | Pas à pas |
| Service de traitement | Leur valeur n'excède pas 50% du prix départ usine du produit |
| Matériel | SiO2 |
|---|---|
| Dureté | Morse 6,5 |
| La température fonctionnante | 1200℃ |
| Qualité extérieure | 20/40 ou 40/60 |
| Force de Dieletric | 250~400Kv/cm |
| Matériel | SiO2 |
|---|---|
| Dureté | Morse 6,5 |
| La température fonctionnante | 1100℃ |
| Qualité extérieure | 20/40 ou 40/60 |
| Force de Dieletric | 250~400Kv/cm |
| Matériel | SiO2 |
|---|---|
| Dureté | Morse 6,5 |
| La température fonctionnante | 1200℃ |
| Qualité extérieure | 20/40 ou 40/60 |
| Force de Dieletric | 250~400Kv/cm |
| Nom de produit | Usinage en verre de précision |
|---|---|
| Matériel | Sio2 |
| Dureté | Morse 6,5 |
| La température fonctionnante | 1100℃ |
| Qualité extérieure | 20/40 ou 40/60 |
| Nom de produit | Usinage en verre de précision |
|---|---|
| Matériel | Sio2 |
| Dureté | Morse 6,5 |
| La température fonctionnante | 1200℃ |
| Qualité extérieure | 20/40 ou 40/60 |