Matériel | SiO2 |
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Dureté | Morse 6,5 |
La température fonctionnante | 1100℃ |
Qualité extérieure | 20/40 ou 40/60 |
Force de Dieletric | 250~400Kv/cm |
Matériel | SiO2 |
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Dureté | Morse 6,5 |
La température fonctionnante | 1100℃ |
Qualité extérieure | 20/40 ou 40/60 |
Force de Dieletric | 250~400Kv/cm |
Matériel | SiO2 |
---|---|
Dureté | Morse 6,5 |
La température fonctionnante | 1100℃ |
Qualité extérieure | 20/40 ou 40/60 |
Force de Dieletric | 250~400Kv/cm |
Nom de produit | Usinage en verre de précision |
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Matériel | Sio2 |
Dureté | Morse 6,5 |
La température fonctionnante | 1100℃ |
Qualité extérieure | 20/40 ou 40/60 |
Taper | Plat clair de quartz |
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Application | Semi-conducteur, optique |
épaisseur | 0.5-100mm |
Forme | Carré |
Service de traitement | Poinçon, coupant |
Matériel | SiO2 |
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Dureté | Morse 6,5 |
La température fonctionnante | 1200℃ |
Qualité extérieure | 20/40 ou 40/60 |
Force de Dieletric | 250~400Kv/cm |
Matériel | SiO2 |
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Dureté | Morse 6,5 |
La température fonctionnante | 1200℃ |
Qualité extérieure | 20/40 ou 40/60 |
Force de Dieletric | 250~400Kv/cm |
Nom de produit | Usinage en verre de précision |
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Matériel | Sio2 |
Dureté | Morse 6,5 |
La température fonctionnante | 1200℃ |
Qualité extérieure | 20/40 ou 40/60 |
Type | Plat clair de quartz |
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Application | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100mm |
Forme | Place |
Traitement du service | Recourbement, soudant, poinçonnant, coupure, polissant |
Type | Plat clair de quartz |
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Application | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100mm |
Forme | Place |
Traitement du service | Poinçon, coupant |