Type | Plaque de quartz clair |
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Application | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100mm |
Forme | Place |
Traitement du service | Pliage, soudage, poinçonnage, découpe, polissage |
name | Réacteur en verre de quartz |
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Matériel | silicium fondu |
Température de travail | 1100°C |
Tolérance acide | 30 fois que la céramique |
Dureté | morse 6,5 |
Nom de produit | Plat de quartz fondu |
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Matériel | SIO2>99.99% |
Densité | 2.2g/cm3 |
Hardness | Morse 6,5 |
Temparature fonctionnant | 1150℃ |