Le type | Plaque de quartz transparent |
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Application du projet | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100 mm |
Forme | Carré |
Service de traitement | Leur valeur n'excède pas 50% du prix départ usine du produit |
Le type | Plaque de quartz transparent |
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Application du projet | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100 mm |
Forme | Carré |
Service de traitement | Leur valeur n'excède pas 50% du prix départ usine du produit |
Le type | Plaque de quartz glacé |
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Application du projet | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100 mm |
Forme | Pas à pas |
Service de traitement | Leur valeur n'excède pas 50% du prix départ usine du produit |
Le type | Plaque de quartz transparent |
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Application du projet | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100 mm |
Forme | Carré |
Service de traitement | Leur valeur n'excède pas 50% du prix départ usine du produit |
Le type | Plaque de quartz glacé |
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Application du projet | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100 mm |
Forme | Pas à pas |
Service de traitement | Leur valeur n'excède pas 50% du prix départ usine du produit |
Matériel | SIO2>99.99% |
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OD | 3-300mm |
Transmittance légère | >92% |
Temparature fonctionnant | 1100℃ |
Dureté | Mose 6,5 |
Matériel | silicium fondu |
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La température fonctionnante | 1100℃ |
Tolérance acide | 30 fois que la céramique |
Dureté | Morse 6,5 |
Densité | 2.2g/cm3 |
matériel | SIO2>99.99% |
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densité | 2.2g/cm3 |
Dureté | Morse 6,5 |
Taille | Adapté aux besoins du client |
Point de fonte | 1750-1850℃ |
Matériel | SIO2>99.99% |
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OD | 3-300mm |
Transmittance légère | >92% |
Temparature fonctionnant | 1100℃ |
Dureté | Mose 6,5 |
Matériel | SIO2>99.99% |
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OD | 3-300mm |
Transmittance légère | >92% |
Temparature fonctionnant | 1100℃ |
dureté | Mose 6,5 |