Matériel | SIO2>99.99% |
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OD | 3-300mm |
Transmittance légère | >92% |
Temparature fonctionnant | 1100℃ |
dureté | Mose 6,5 |
Le type | Plaque de quartz transparent |
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Application du projet | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100 mm |
Forme | Carré |
Service de traitement | Frapper, couper |
Le type | Plaque de quartz transparent |
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Application du projet | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100 mm |
Forme | Place/rond |
Service de traitement | Leur valeur n'excède pas 50% du prix départ usine du produit |
Nom | Tube de verre de quartz |
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Application | Sources, semi-conducteur |
Matériel | SIO2>99.99% |
caractéristique | Bonne isolation électrique |
Transmittance légère | >92% |
Nom de produit | glace de quartz |
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Matériel | SIO2>99.99% |
Densité | 2.2g/cm3 |
Dureté | Morse 6,5 |
Temparature fonctionnant | 1150℃ |
matériel | SiO2 |
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densité | 2.2g/cm3 |
Dureté | Morse 6,5 |
La température fonctionnante | 1100℃ |
Transmittance UV | 80% |
Taper | Plaque de quartz transparent |
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Application du projet | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100 mm |
Forme | Carré |
Service de traitement | Frapper, couper |
Le type | Tubes de quartz transparentes |
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Application du projet | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100 mm |
Forme | Carré |
Service de traitement | Leur valeur n'excède pas 50% du prix départ usine du produit |
Nom de produit | Glace de quartz |
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Matériel | SIO2>99.999% |
Densité | 2,2 (g/cm3) |
Transmittance légère | >92% |
Dureté | morse 6,5 |
Le type | Plaque de quartz transparent |
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Application du projet | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100 mm |
Forme | Carré |
Service de traitement | Frapper, couper |