| Matériel | SiO2 |
|---|---|
| Dureté | Morse 6,5 |
| La température fonctionnante | 1200℃ |
| Qualité extérieure | 20/40 ou 40/60 |
| Force de Dieletric | 250~400Kv/cm |
| Matériel | 99,99% |
|---|---|
| Transmittance légère | 92% |
| Densité | 2.2g/cm3 |
| Temparature fonctionnant | 1100℃ |
| Dureté | Morse 6,5 |
| Matériel | SiO2 |
|---|---|
| Dureté | Morse 6,5 |
| La température fonctionnante | 1100℃ |
| Qualité extérieure | 20/40 ou 40/60 |
| Force de Dieletric | 250~400Kv/cm |
| Matériel | SIO2>99.999% |
|---|---|
| Densité | 2,2 (g/cm3) |
| Transmittance légère | >92% |
| Dureté | Morse 6,5 |
| La température fonctionnante | 1100℃ |
| Matériel | 99,99% |
|---|---|
| Transmittance légère | 92% |
| densité | 2.2g/cm3 |
| Temparature fonctionnant | 1100℃ |
| Dureté | Morse 6,5 |
| Matériel | 99,99% |
|---|---|
| Transmittance légère | 92% |
| Densité | 2.2g/cm3 |
| Temparature fonctionnant | 1100℃ |
| Hardness | Morse 6,5 |
| Matériel | SIO2>99.99% |
|---|---|
| Densité | 2.2g/cm3 |
| Transimittance léger | 92% |
| dureté | morse 6,5 |
| Temparature fonctionnant | 1100℃ |
| Matériel | SIO2>99.99% |
|---|---|
| Densité | 2.2g/cm3 |
| Transimittance léger | 92% |
| dureté | morse 6,5 |
| Temparature fonctionnant | 1100℃ |
| Matériel | SIO2>99.99% |
|---|---|
| Densité | 2.2g/cm3 |
| Transimittance léger | 92% |
| dureté | morse 6,5 |
| Temparature fonctionnant | 1100℃ |
| Le type | Plaque de quartz transparent |
|---|---|
| Application du projet | Semi-conducteur, optique |
| Épaisseur | 0.5-100 mm |
| Forme | Carré |
| Service de traitement | Leur valeur n'excède pas 50% du prix départ usine du produit |