Matériel | 99,99% |
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Transmittance légère | 92% |
Densité | 2.2g/cm3 |
Temparature fonctionnant | 1100℃ |
Dureté | Morse 6,5 |
Matériel | 99,99% |
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Transmittance légère | 92% |
Densité | 2.2g/cm3 |
Temparature fonctionnant | 1100℃ |
Dureté | morse 6,5 |
Matériel | SIO2>99.999% |
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Densité | 2,2 (g/cm3) |
Transmittance légère | >92% |
Dureté | Morse 6,5 |
La température fonctionnante | 1100℃ |
Matériel | SiO2 |
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Temparature fonctionnant | 1200℃ |
Point de fonte | 1850℃ |
forme | Place/rond/toute forme |
Épaisseur | 1mm-50mm |
Le type | Plaque de quartz transparent |
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Application du projet | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100 mm |
Forme | Carré |
Service de traitement | Frapper, couper |
Nom de produit | glace de quartz |
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Matériel | SIO2>99.99% |
Densité | 2.2g/cm3 |
Hardness | Morse 6,5 |
Temparature fonctionnant | 1150℃ |
Taper | Plaque de quartz transparent |
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Application du projet | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100 mm |
Forme | Carré |
Service de traitement | Frapper, couper |
Taper | Plaque de quartz transparent |
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Application du projet | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100 mm |
Forme | Carré |
Service de traitement | Frapper, couper |
Taper | Plaque de quartz transparent |
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Application du projet | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100 mm |
Forme | Carré |
Service de traitement | Frapper, couper |
Le type | Plaque de quartz transparent |
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Application du projet | Semi-conducteur, optique |
Épaisseur | 0.5-100 mm |
Forme | Carré |
Service de traitement | Frapper, couper |